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带有串行接口的FRAM RFID LSI

时间:2016-04-26 07:13:56 点击:

铁电随机存储器(FRAM) RFID由于存储容量大、擦写速度快一直被用作数据载体标签。内置的串行接口可将传感器与RFID连接在一起,从而丰富了RFID应用。

概述

到目前为止,富士通半导体已经开发出了高频段(13.6MHz)和超高频段(860 MHz到960 MHz)RFID LSI产品。这些产品最重要的特点就是它们内电感厂家嵌FRAM。由于擦写速度快、耐擦写次数高,它们已经作为数据载体型被动RFID LSI而被全世界广泛采用。

大存储数据载体的优势就是RFID可以记录可追溯数据,如制造数据、生产数据、物流数据、维护数据等,因此它可用于各种资产、产品和零部件的管理。由于大存储数据载体具有这些优势,人们希望进一步利用FRAM RFID来连接传感器等设备。

基于这些市场需求,我们开发出了一种带有串行接口的技术;超高频段RIFD LSI上的串行外围接口(SPI)。

FRAM FRID LSI的附加值

FRAM是一种非易失性存储器,使用铁电材料作为数据载体,结合了随机存储器(RAM)和只读存储器(ROM)的优势。作为用在RFID中的非易失性存储器,电擦除可编程只读存储器(E2PROM)已经得到广泛应用,但是当数据被写入时,E2PROM需要内部升压电压,因为数据存储的原则就是要看是否带有电子电荷,所以它的写入速度非常慢(需要数毫秒),耐擦写次数也仅限于10万次。因此,大部分基于E2PROM的RFID LSI都是小存储容量产品,只适合读,不适合写。

相比较而言,FRAM在写和读方面的性能一样好,因为二者的原则一样。FRAM本身的擦写速度是100纳秒,耐读/写次数是100亿次。这就是FRAM RFID为什么可以作为数据载体提供大存储容量的原因。

存储容量大、擦写速度快的RFID的最重要的优势在于,它可以在自己的存储器上记录数据,由此可以将数据处理方式从集中数据管理转变为分散数据管理。传统的E2PROM RFID在很多情况下都采用集中管理的方式,在这种模式下,数据存在了服务器端,需要与标签本身的ID相关联。而FRAM RFID可以实现分散数据管理,数据可以存在标签上,由此减轻了服务器的载荷。这种方式尤其适合工厂自动化(FA)和维修领域中的生产历史管理。在工厂自动化领域中,有数百个流程都需要经常写入数据;在维修领域中,现场数据确认时也需要经常写入数据,如维修历史、零部件信息等,这样就不需要询问数据服务器。 大功率电感厂家 |大电流电感工厂

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