好长时间没做电源了，最近换了个工作，一个5V10A的电源，纹波如图，我怎么抑制都没有很好的压下尖刺；
1. 输出换电容， PI型滤波 ，最后加了个T12的共模绿环，输出并接PF nF级别的电容，更换Y1电容， 稍微有效果的就是 T12的绿环可以压一些峰值杂波下来。
2. MOS的DS 并接56--100pF/1KV的电容， 可以有些效果， 变压器外包屏蔽可以有些效果，RCD吸收调整，输出二极管RC调整也进行了，没很好的效果。
3. 最后修改MOS的驱动电阻，加大到150R后 MOS的上升下降沿都有400nS---800nS，效果明显，纹波可以下降。
4.最后就差磁珠没用物料，没有试验。
请问各位大侠，如何看待此尖刺。 IC是 NE1102E MOS 8N60 肖特基 30A60V的， 测试了DS波型和纹波对比，干扰同步，是在漏感峰值那个地方。
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各位大侠，问题有了进展。 NE1102E的介绍说是它的驱动能力很强，和二极管并接的电阻可以用到150R，我放的是100R，另外一个是4.7R，但是最主要的一个改动是我把MOS的GS的放电电阻由10K 1206 的改为了5.1K 1206的，这一个改动效果很明显，纹波在低压100V输入的时候是70mV-80mV, 在高压220V的时候是90mV-105mV，基本可以控制在100mV以内, 不知道大家对此调整做何看法？ 用5.1K电阻应该不会有什么问题吧？
如果什么都不改，NE1102E直接用OB2273换上去，纹波会减小30mV 的样子，问题何在？ 但是我不用2273，备料用的是1102.
已经被添加到社区经典图库喽
可能是变压器漏感太大造成的
试试在输出整流管、开关管管脚加磁珠看看效果或减少变压器的漏感尖刺是你的示波器探头上的地线被干扰了不？
我最近在做一个电源，也碰到类似的问题，IC是NCP1200D6，MOS是4N90，由于是多路输出，变压器用的大了点是EE28的。
DS的波形感觉是挺好的，肖特基两端的波形也还行，就是输出纹波尖峰特别高。和开关频率同步，想不明白，变压器初级电感量1.9mh，漏感32UH。
肖特基改为快恢复管看看纹波尖峰是否有差异。
驱动电阻加大应该是有点效果的。
各位大侠，问题有了进展。 NE1102E的介绍说是它的驱动能力很强，和二极管并接的电阻可以用到150R，我放的是100R，另外一个是4.7R，但是最主要的一个改动是我把MOS的GS的放电电阻由10K 1206 的改为了5.1K 1206的，这一个改动效果很明显，纹波在低压100V输入的时候是70mV-80mV, 在高压220V的时候是90mV-105mV，基本可以控制在100mV以内, 不知道大家对此调整做何看法？ 用5.1K电阻应该不会有什么问题吧？
如果什么都不改，NE1102E直接用OB2273换上去，纹波会减小30mV 的样子，问题何在？ 但是我不用2273，备料用的是1102.
放电电阻到5.1k没问题的，相当于开启变慢一点点，关断变快一点点。对电路性能影响不大。
二极管并联的那个电阻阻值影响大不？
二极管并联的那个电阻阻值影响也很大，我以前用的是6.8R+（10R+1N4148）+10K对地，后面改为4.7R+（100R+1N4148）+5.1K对地，驱动开启时间上升到15V是600nS的样子，上升到5V左右就是200nS的样子，关断下降时间那就很快的，200nS左右吧 搞定就好，大概的解释的，开启和关断时间对应的是dI/dt的参数，同时也对应的管子的应力，所以，硬开关毛刺会比软开关的LLC中的毛刺多很多。解决就好。
NE1102是比较老的芯片，NE1102的升级版本也出来很长时间了，都在市场上销售。
现在产品跟新换代的好快的呵呵，如果担心更新换代太快，就用终极版本PF6116，这颗很难有其他芯片能超越；
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