IGBT单管的概念 

      IGBT是绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)的英文缩写，IGBT根据封装不同可以分为IGBT模块和IGBT单管，IGBT单管是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。

IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

    IGBT单管和IGBT模块的区别  

     IGBT模块可以看做是IGBT单管的功能改进和升级，它们的运用领域基本一样，但是IGBT模块由于集成了各种驱动保护电路，安装是使用上大大的方便了用户，采用新的封装技术后，IGBT的性能也得到了很大的提升，拓展了IGBT的运用领域！ 

     IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。

PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。

平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的**发射装置。

IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB，大大降低电路接线电感，提高系统效率，现已开发成功第二代IPEM，其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。

智能化、模块化成为IGBT发展热点。