车功率电子组件(例如IGBT)的设计必须能负荷数千小时的工作时间和上百万次的功率循环，同时得承受高达 200℃的温度。因此产品的可靠性特别关键，而同时故障成本也会是一个很大的问题。随着工业电子系统对能量需求的增加，汽车功率电子设备和组件的供货商所面临的最大挑战就是提供汽车OEM业者所需更高可靠度的系统。

随着越来越高的能量负载压力，功率电子创新带来了一些新的技术，例如使用能够增加热传导系数的直接键合铜基板、优越的互连技术(粗封装键合线、带式键合等)和无焊料芯片粘贴技术，都是用来增强模块的循环能力。这些新的基板有助于降低温度，金属带可负载更大的电流，而且无焊料芯片粘贴可以是烧结的银，具有特别低的热阻。

所有的技术都有助于改善组件中的热传路径。但是，功率循环过程和热效应所产生的热及热机械应力仍然会造成系统故障。这些应力可能会导致很多问题，如封装键合线降级、黏贴层疲劳、堆栈脱层以及芯片或基板破裂。

结点位置的热消散是影响IGBT芯片可靠性的主要因素之一，特别是芯片的粘贴层材料。功率循环测试是仿效模块生命周期的理想方式，因根据所应用的领域，IGBT模块的切换次数是可被预测。

本文主要描述结合功率循环测试和热瞬态测试的测量研究，在此试验中主要是利用功率循环测试造成组件故障，同时在不同的稳态之间进行热瞬态测量，用以确定IGBT样品的故障原因。这类型的测试能适当协助重新设计模块的物理结构，此外根据需求，它还可以模拟热机械应力的输入。

这个电路主要是用单片机控制一个100V 0.7A的LED电源，MOS采用IRLML0100pbf,光耦隔离用TLP521.


主要工作过程,通过PWM来控制MOS管慢慢开到饱和,慢慢关到截止,实现灯的慢慢

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