本帖最后由yugzhi于2017-3-3117:14编辑
如题:各位大侠,我的电源输出在高边有一个PMOS管,为了保证可靠性,不能在低边做电流检测和用NMOS做导通与断开,只能在高边用PMOS管做导通与断开控制,同时电流检测也需要高边检测。
有人说可以通过检测PMOS内阻来确定过流的情况。
请问如何设计这个高边的电流检测,
1:如果PMOS关断时,内阻之间的电压相当于电源输出的整个电压。
2:过流时PMOS内阻会不会变?如何比较精确的设定过流电阻的阻值?
3:抛开上面的,如果我想限流的情况下还可以有输出,只要保证电流不超限,又该如何做?或者说我是为了防止开机瞬间的大电流冲击
补充说下,曾经用简单的方法来判断过流的情况,即在PMOS的DS间跨一个PNP三极管做检测,当时用的IRF9530,标称内阻rDS(ON)=0.300Ω,条件是ID=-6.5A,VGS=-10V,
确实能关断,但这时IRF9530非常热,且具体在几安培保护,无法准确设置,而且很容易误触发保护,后来想了点办法,不会误动作,但结果是只能作短路保护,而不是过流保护了。
用LTC4363,你想要的功能都能搞定,还可以用便宜的NMOS管
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