传统方案中常常采用电感器电路EPROM、EEPROM和Flash存储程序，NVSRAM具有高速存取时间和与SRAM相同的接口，因而可用于存储程序。本文介绍NVSRAM如何与基于程序和数据存储的微处理器进行接口，并说明选用NVSRAM与现有的其它非易失存储器相比具有哪些优势。

尽管EPROM、EEPROM、F一体成型电感lash和NVSRAM在某种程度上提供了相同一体电感特性的非易失存储方案，而在一些特殊应用中，不适当的存储器方案将会导致设计缺陷。微处理器系统选择存储器时主要面临下列问题：

1。对特定的应用，存储容量不足；

2。程序存储器需要较快的存取时间；

3。保证非易失存储的写周期次数不够大，产品工作在有效寿命的后期时存在可靠性问题；

4。扇区写入不可避免，特别是存储器的扇区大于微处理器的缓冲区时。

5。采用UV擦除方式不便于开发，一般无法满足在线编程的要求，需要特殊的附加设备，而不适当的操作会导致数据在光照下被擦除。表1列出了四种存储器的不同特点，显然，NVSRAM的综合指标最高。

EPROM的缺陷在于需要UV擦除时间，编程时需要额外的高电压Vpp和Vcc。EPROM为程序存储提供了一种可行方案，在微处理器应用中能够提供适当的接口和读时间，但由于缺少电擦除功能无法用于非易失数据存储。

EEPROM是一种较好的程序存储方案，但其有限的写周期次数和较低的写速度使其很少用于数据存储。写周期次数的限制使其在大多数应用中只能用于程序存储。

初看起来，Flash是一种很好的解决方案，它同时提供了同步和异步读功能，与EPROM和EEPROM相比具有较高的写速度。但Flash存在写周期次数有限的问题，划分后的扇区(64字节到64k字节)必须一次性写入。这意味着数据必须由微处理器高速缓冲，然后一次写入Flash器件的存储区内。如果设计中微处理器不具备足够的内部RAM，就无法缓存这些数据。在一些应用中，如数据记录仪，当电源出现故障时可能导致滞留在微处理器缓冲区的数据丢失。尽管市场上也有一些Flash器件不需要扇区写入，但产品的订货批量受限制。另外，这种产品还缺乏Flash器件标准，虽然大多数Flash器件的异步读操作与SRAM或EPROM相同，但并非所有器件都是如此，而且，写接口标准较多，当产品更新换代无法支持相应的标准时将限制器件的实际使用寿命。另外，还需保证写操作不要超出最大写周期次数，因为当器件达到有效寿命时将开始出现随机存储误码。有些Flash存储器需要提供额外的编程电压(大于13V)以保证快速写模式，因而增加了系统成本，而寻找容量低于1Mb的Flash也比较困难。

NVSRAM可提供16kb至16Mb的存储容量，存取时间高达70ns。读、写接口均与SRAM保持一致，标准Vcc条件下NVSRAM与同等速度SRAM的操作完全相同。无需担心存储数据分区问题，数据存储位置与标准SRAM相同。电源失效时(Vcc跌落到标准工作电压以下)，内部电路将片选(CE)信号置位，使存储器处于写保护状态、并切换电源以便保持数据。电源恢复正常后，NVSRAM恢复微处理器对CE信号的控制，SRAM电源切换到Vcc。CE信号被切模压电感器换的瞬间只要微处理器控制信号没有处于写有效状态(CE为高)就不会丢失数据。

由于工作状态下NVSRAM与SRAM兼容，可以用速度相符的NVSRAM简单地替代任何微处理器系统的SRAM，这种替代仅有的制约是需要了解电源所能提供的电流。Dallas半导体建议采用CPU监控电路以保证微处理器在NVSRAM就绪之前处于复位状态。微处理器复位状态下，绝大多数总线控制信号(CE、WE、RD)处于禁止状态，能够避免NVSRAM在有效期内数据不丢失。Maxim提供多种CPU监控电路，完全胜任这项工作，配合其它与复位信号相关的功能就能保证系统更加可靠工作。

图1是利大功率电感用单片NV

SRAM存储程序和数据的典型电路，该电路的主要优点是节省了元器件数，充分利用了存储器空间。如果微控制器仅占用32kB存储空间的1kB存储程序，则其余31kB可用于非易失数据存储。32kB的存储容量足以满足许多应用场合，如果对程序和数据分别采用两类存储器将造成不必要的浪费，而且将迫使设计人员选用更大容量的存储器。 大功率电感厂家 |大电流电感工厂