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FRAM芯片扩展耐力在低功耗应用

虽然EEPROM和闪存通常都被用于非易失性存储器(NVM)的最佳选择，在大多数应用中，铁电RAM(FRAM)提供了许多低功耗设计在能量收集应用，例如无线传感器节点，智能电表明显的优势，和其他数据记录的设计。凭借其扩展的写周期耐力和数据保留时间，FRAM技术可帮助设计人员满足使用的FRAM芯片和基于FRAM微控制器的制造商，包括Cypress半导体，富士通半导体制造商ROHM Semiconductor要求十年之久，低功耗的NVM操作和德州仪器。

常规NVMS，诸如闪存和EEPROM，在在浮动栅，需要一个电荷泵，以提高电压以需要通过栅极氧化物来强制载波的水平电荷载体的形式存储数据。其结果，沿着与长写延迟和高功率消耗固有这些设备中，它们的高电压写入操作最终可以穿出细胞 - 有时在少至万个写周期。

FRAM优势

与此相反，铁电RAM(FRAM)存储由铁电材料锆钛酸铅的偏振的装置，或PZT(Pb(上ZrTi)O 3)，它被置于两个电极类似的电容器的结构之间的膜。与DRAM中，在FRAM中阵列的每一位被读出和单独写入，但在DRAM的使用的晶体管和电容器来存储比特，FRAM采用在晶体结构中的偶极移引起的施加电场的相应位跨电极(图1)。因为该偏振仍然是去掉电场之后，FRAM数据仍然存在无限期即使没有可用功率 - 用于设计搭载不确定环境来源的重要能力。 大功率电感厂家 |大电流电感工厂