为了确定栅极驱动电路的要求，以及它们与传统硅MOSFET驱动器的区别，我们必须将硅FET器件和eGaN FET器件的参数进行比较（表1）。在考虑栅极驱动要求时，eGaN FET的三个最重要参数电感器工厂是：最大允许栅极电压、栅极阈值电压、“体二极管”压降。
与传统硅器件相比，eGaN FET最大允许的栅极至源极电压是较
低的。其次，其栅极阈值与大多数功率MOSFET相比也是较低的，但它受负温度系数的影响没那么大。第三，“体二极管”正向压降要比同等的硅MOSFET高1V。
栅极下拉电阻
eGaN FET提供的一大优势是其可实现的开关速度。然而，伴随这个新功能的更高di/dt和dV/dt不仅要求布局具有更小的寄生电容、电阻和功率电感，而且还会给栅极驱动器增加一些新的考虑因素。让我们看一个半桥电路，该电路使用一个具有高dV/dt导通值的补偿器件，如图1所示。‘米勒’充电电流从漏极（开关节点）经过CGD和CGS直到源极，以及通过CGD到RG（内部栅极电阻）和RSink（栅极驱动器吸收电阻）再到源极。避免这个器件dV/dt（米勒）导通的条件是：
其中：功率电感制造商α= 无源网络时间常数（RG + RSink） x （CGD + CGS） dt = dV/dt 开关时间。因此，为了避免eGaN FET的米勒导通，有必要限制器件栅极和源极之间的总电阻路径（内部栅极电阻RG和外部栅极驱动吸收电阻RSink）。有人可能会辩称，对于具有良好米勒比率（QGD/QGS（VTH）《1）的器件来说，不必有这样的要求。但实际上，由于QGD会随功率电感器VD而增加，这个比率将随着开关电压的增加而慢慢变差，因此不能单单依靠它来防止米勒导通。
