场效应管和三极管基本参数中都有标明散耗功率！这个能代表什么呢？和额定电流有什么关系呢？例如一个管标100V 10A 150W 我用50V10A留过此管！那按三级管算CE饱和压降是0.7！按道理这个管在路的损耗应该是70W才对！和这个150W有什么关系呢？这正是我想问的标称功率是指什么！有什么实际意义！
第二在做逆变时用三极管好还是用场管好！按一电路电流是20A计算！先不算开关损耗！用三极管压降是0.7（有资料写VCES是1.几的！）按这个算浪费在三极管上的功率是20X0.7=14！按一个Ron是0.5欧！这个散耗功率就是200W了！如果是0.05欧都有20W了！那场效应管的优势何在》？？三极管容易选择电压高！场管做到0.05欧的一般都只有30-100V左右！当然以上的计算可能是错的！就是不能理解！请赐教！
频率是决定因素，功率晶体管只能做几千赫，场管最高可达1m你要做高频，只有用场管或igbt。不是这个原因吧·电视行管或开关管都上2M的！功放用的都有15-30MHZ！何况做普通逆变都不上400KHZ吧！通常是20-100K已经很高了！截止频率不是一个问题！而且我只想问损耗问题！何况场管很少人留意频率问题！
按这个算浪费在三极管上的功率是20X0.7=14！按一个Ron是0.5欧！这个散耗功率就是200W了！如果是0.05欧都有20W了！那场效应管的优势何在》？？
20A电流，按这个算浪费在三极管上的功率是20X0.7=14W
3205=8/1000欧=0.008欧，20*0.008=0.16V，0.16V*20=3.2W
到底那个大？
你要用3205比那就是少！但这就是出现我想问的问题了！那资料标称的功率是指什么呢？？标的ID 110A和PD 200W是什么关系呢？0.008X110=0.88V 0.88X110=96.8W那这个不就是最大功耗吗？？？标出的200W意义何在？
你忘记了一个占空比的存在
我说这些假设都是在纯直流电路的！因为资料的标称也是在直流电路状态！
PD=200W这个参数是有意义的，它表示MOS管承受电流冲击的能力，是一个极限参数，你理解的没有错，只是最大电流没有取对，3525的最大极限电流是390A，这个时候390x390x0.008=1216.8W，管子早就挂了。用200W和0.008欧反过来推算电流，是158A。另外0.008欧也只是一个参考值，MOS管在不同的温度、不同的驱动电压、不同的工作频率下其内阻是不一样的。 一般来讲管子在正常工作时都会在它的PD功率以内，这也就是我们给它留的余量，所以实际上使用这个参数的人不是特别多。但是在设计保护电路时这个参数是非常有用的，比如短路保护、过流保护等等。另外在选管的时候最好也看看这个PD，瓦数大的管子耐冲击能力好一些。 我的意思是就是看到很多相同A数的管子有不同的W数！而且我觉得很多人的理解这个功率就是能做多大功率的机器！事实上也有靠边！所以就不理解！最明显就是几N几型号的场管！全塑封的都是40-60W 铁头封装的都是100-120W的！相同额定电流！R也差不多！紧紧是功率数值差异！所以我就不理解选管应该是电流重要还是这个功率重要！一个实际又不是很敢相信的问题 ！3205的额定电流是110A！那我用于纯直流电路做开关功能！那正的就能长时间通110A的电流吗？！就是能通60A的电流 那也是很了不起的问题吧！那小小的引脚能不能流过这么大的电流啊！不会断吗？我没做过这么大电流！·在用一些驳脚的正品3205！有时就是烧断脚！因为这些驳的脚很薄！但原装脚也没多大的！TOP220的脚能有这么大的电流吗？？？
可以的，只要你散热够好，要让管子不要超过25摄氏度。
3205的管脚厚度0.5mm，宽度1.2mm大约0.6mm²,长度1cm。
铜的电阻率p=0.01751 Ω·mm2/m按这个算下来管脚电阻0.0003欧姆样子。通110A的电流光管脚大概消耗3瓦多功率。
但是你不可能能保证25度以下温度，IGBT使用额定电流的一半，场管百分20电流是可靠的
我的天，没仔细看原来是几年前的贴 功放晶体管或场管工作在放大区，和工作在开关状态的逆变器不可相提并论。
１：你不懂三极管，Ｖce是0.7V，是在它的特定条件下才是这个参数，就是驱动电流是极电流的1/5-10条件下测的。如果驱动电流小，它的Vce是非常大的！
所以，你说一个管只能流１０Ａ但能消耗１５０Ｗ热能不可能，你是错的。另外，一般的大功率三极管很难做到０.７Ｖ以下的，特别是高耐压的管，都在１-２Ｖ。３ＤＤ１５满载时也很难低于１Ｖ的。
２：你也不懂ＭＯＳ，你的假设没有意义！如果有个ＭＯＳ的内阻有０.５欧，你让它流２０Ａ，的确是Ｉ*Ｉ*Ｒ＝２００Ｗ，而且，你这个只能假设，因为ＭＯＳ的温度高后，它的内阻会更大！这样的结果有２个，如果有大散热片把热能散发，温度不会一直升高，会达到一个极限。如果散热不好，管子就坏了。
特别提醒一些朋友，关于“温度”和“热能”是２个不同的物理量。功率是在单位时间发出的能量，如果不消耗，它的温度会一直升高
昨天不知道为什么上不了这个网！呵呵！我没受过高等教育！所以对器件的详细不了解！所以找高手赐教！想问个简单的问题！在实际逆变电路里正品3205不加散热片能流过多大的电流啊？如果做200W不带散热片能吗？22KHZ左右！如果是低频又怎样！看到很多低频机功率管的发热量都很小！那做高贫机除了能剩铜！体积外！还有什么最大的特点啊？在这说场效应管，150W是无限的散热条件下的最大允许功耗。
实际功耗是70W，你就不能用最大功耗低于这个值的管，比如，IRF3205，你总不能用一个2N7002来代替吧？有些管子，标称的参数电压，电流都差不多，就是耗散功率有差别，这个跟管芯工艺，和封装都有关系的。
至于用什么管好，我个人觉得，用场效应管会好很多，一来是电压驱动，电流再大，驱动的电流也为零（至少直流来说是这样，高频的另算）二来导通时候的电阻很低（低压管），损耗算起来，会非常的低，最后就是安全工作区很宽，比三极管宽很多，也就是安全很多。场效应输入输出特性，从工作模式来看，是一种很理想的器件了。
我就想问一个200W的逆变要用多大散耗功率的管啊！是怎样推算的！
还有一个现象现在现在的产品中很大量使用了全塑封的管了！电流一样的管现在怎么全用了散耗功率小一半的了！是省本钱还是什么呢？如果换成电流一样的大散耗功率是不是会余量大呢？还是说大散耗功率的效率不好！同样电流工作会浪费更多电能和热量啊？那是不是以前的铁头半塑封的太浪费啊！我个人总感觉现在不是全塑封的都很少用了！
现在低压的场效应管，导通电阻，目前来说，可以做得很低了，况且，很少用到线性状态，所以，用多大耗散功率的管子，就我个人来说，已经不怎么在意了，在意的是多低的导通电阻和栅极电容。所以，怎么计算用多大耗散功率的管子，说实话，还真没考虑过这个问题。在驱动没有问题的前提下，没有成本限制的话，我会用所能选用的最低导通电阻的管子，当然，实际情况会复杂一下。
由于工艺的改进，现代很多新出来的场效应管，同样的耐压，电流参数下，所用的硅片小了很多，这样一来，成本就降低了只是最大耗散的功率也跟着降低了。我觉得，用耗散功率大一点的管子，可靠些，对短路保护电路的要求也低一些。
他还是没懂你的意思……
我也是看R和电容 电流耐压选管啊！只是不明白标出这个散耗功率的具体意义！如果一个开关电源里一了一个开关管！那这个管的散耗功率和这个开关电源的输出功率有什么关系啊？我觉得很多人就以开关管的散耗功率做出开关电源的功率的！
假设个例子就3205！一个管能不能做出500W的开关电源啊！那和那个200W散耗功率是什么关系啊！
3205的最大功耗是200W，我能用开关串联稳压方式来实现50V输入25V20A也就是500W的输出，理想状况，管子的功耗也就20A*20A*0.008R*50%=1.6W，用线性的方式的话，25V*20A=500W 就不行，功耗超过了。总结一点，就是开关方式，可以不用太在意管子的最大耗散功率，线性方式的话，这个参数就很重要。
在修开关电源是！换开关管！用45W的全塑封管能代替其他参数一样的半塑封管150W的管吗？
具体问题具体分析时隔两年，不止兄台弄明白这个问题没？
我的理解是这样的：Pd是晶体管的最大耗散功率， 也就是加在管子两端的电压与流过的电流的乘积的最大值，超过这个值管子就会烧掉，这个值是与管子的外形，体积，管材有关。而Id是流过晶体管的最大允许电流值，与管子的内部结构有关（比如场效应管的Id与沟道的宽长比，半导体杂质的掺杂浓度有关，比如三极管的Icmax与半导体的杂质掺杂浓度，集电极的截面积有关） 比如IRF3205的最大耗散功率是200W，如果流过最大电流110A，那么同时要满足Ic X Vce<=Pcm(在此为200W)，那么此时加在管子两端的电压就要小于 200W/110A=1.82V。另一方面，即使耗散功率在最大范围内，电流如果超过额定值，管子内部被击穿，沟道遭到破坏，这时流过电流迅速增加，功耗就会超过PD，进一步烧坏管子。
对于你的另一个问题：
因为塑料的导热性不如金属好，所以一般相同的尺寸和其他参数下，金属封装的管子散热就快，那么他的PD就大。
下一个问题：
PD不表示管子能做多大功率的逆变器，只是一般输出功率越大，流过功率管的电流就越大，在管子上产生的功耗就越大，所以就需要PD大的管子了（即，散热快的管子）。
说到这里，如果上面这些你能看明白，估计其他的问题自己也能领悟了吧！
希望能帮到你！
呵呵！今天突然又搜到自己的帖子！！！你的回复是时隔两年！！我现在的是时隔5年了！真不敢相信这样一晃就是5年了！！！！其实对于这个最大散耗功率现在只理解成管子可一承受的功率！而且现在的设计上基本都不怎么考虑这个因素！只考虑电流耐压导通电阻就算了！只是搞不太懂现在的开关电源里基本都用上了全塑封的管了！相同电流参数基本散耗功率都小一半的！但安装的确方便了！而且我还有一个意识！虽然是不对的！就是觉得用散耗功率小的管发热会少点！很明显是错的！因为很清楚知道发热是电流和导通电阻产生的！但给人的感觉就是这样！
所以现在对于这个参数也不太懂！也没必要去深入研究了！只是心里始终有条刺！！！其实也是理解了部分的！我相信要每个工程师去系统解析这些关系也是说不出所以然的！
五年了，真快啊 耗散功率，我在做电子负载或者线性电源的时候才考虑。其次耗散功率，其实跟安全工作区有关，也就是，即便是同样耐压电阻的MOS，耗散功率大的，安全工作区比耗散功率小的要大，更耐电流冲击，尤其是短路保护不灵敏的时候，最能体现出差异来。呵呵！今天突然又搜到自己的帖子！！！你的回复是时隔两年！！我现在的是时隔5年了！真不敢相信这样一晃就是5年了！！！！其实对于这个最大散耗功率现在只理解成管子可一承受的功率！而且现在的设计上基本都不怎么考虑这个因素！只考虑电流耐压导通电阻就算了！只是搞不太懂现在的开关电源里基本都用上了全塑封的管了！相同电流参数基本散耗功率都小一半的！但安装的确方便了！而且我还有一个意识！虽然是不对的！就是觉得用散耗功率小的管发热会少点！很明显是错的！因为很清楚知道发热是电流和导通电阻产生的！但给人的感觉就是这样！
所以现在对于这个参数也不太懂！也没必要去深入研究了！只是心里始终有条刺！！！其实也是理解了部分的！我相信要每个工程师去系统解析这些关系也是说不出所以然的！
不是人家说不出个所以然，是人家不想说。
塑封与金封，本质上是一样的，就是把晶片放到一片散热性能良好的金属板上，然后，金封的给他盖个帽，塑封的给它来团塑料压着。很明显，金封的基板面积都会大于塑封的。
再说散耗功率。它是指在散热条件极佳时（某贴说的无散热片时的功耗是完全错的），该管能消耗的功率。想知道它的值很容易，串联型稳压电源的调整管，或者电子负载，都能测算出来。
一直靠自学去了解一些问题！的确需要花更多时间和精力！看更多资料！我发现百度出来的很多技术性话题都是出自这个电源网啊！这里真是高手云集的地方！但最近时间好像少见高手级发言啊！不知是什么原因！好像没以前那么活跃了！可能是把基本的问题都解决了吧1都能搜出满意的答案！
其实我觉得要较好推动场效应管其中还是有很多需要计算和经验的！其实很多人一直在做3525推3205的逆变！但我想很多人都没实测过驱动波形！如果能用示波器直观看到在不同频率！不同场效应管Ciss！（场效应管的GS电容）这个电容高压和低压管相差巨大！很多初学的根本不看这参数！看完这些波形就会知道为什么场效应管发热不正常了！调整RG！取公认的4.7--10欧！这个换不同阻值对不同Ciss的管！波形也大有不同！这是我最近才领悟！不能笑我太差！因为断续学习！
所以有些图纸3525直推4对或更多的！如果是在20K以下就可能行！其实没看过我上面说的波形！那些人空想出来的原理图在实际上是用不了的！或者说勉强能用！但绝对不是最好的驱动！其实我在另一贴中都提过！3525当初设计的初衷应该是高变低的电源用的！现在我们是利用在逆变上是有点驱动不足的！所以我劝部分新手做逆变必须加图腾！和调整好RG！或加二极管和放电电阻！反正目的是让波形正常！我开始就是觉得3525驱动输出有200/400MA就很高！其实这标准驱动2对3205在40K下都很勉强了！所以我个人最多建议在40K一下推1对3205就最高了！我测试过超过100K以上推1对3205都严重变形了！加了图腾就变回方波或矩形波！
我说那么多是想表达一下做逆变3525加图腾是必须的！！！以前是太相信3525的驱动电流了！如果加了图腾就不用管它是水货假货KA3525还是正品UC3525了！只要有波形输出！驱动都交给图腾处理了！这样会得到做电源一直想要的低温效果！
想当年开始玩3525G与494时吃了不少这样的亏，工频时3525直推扒4对管甚至更多都没问题。但做高频JJ时直推3对60N06或是75N75由于欠驱烧了不少管。后来只敢上两对，才勉强行。但还是在没有做保护上面烧了些管子。其实当时，条件差了没示波器。但用万用表我也发现了一个问题，用于12V工频时，3525输出是9V-10.5V。但在高频时输出仅为4-6V甚至更低。
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