摘要：设计一种低电压低静态电流的线性差稳压器。传统结构的LDO具有独立的带隙基准电压源和误差放大器，在提出一种创新结构的LDO，把带隙基准电压源和误差放大器合二为一，因而实现了低静态电流消耗的目的。设计采用CSMC0.5 μm 双阱CMOS工艺进行仿真模拟，这种结构LDO在轻负载情况下静态电流仅为1.7 μA，输出暂态电压最大变化为9 mV.

　　随着过去几十年里掌上智能终端快速发展，低压差的线性稳压器（Low Drop-out Regulator，LDO）因其具有低功耗、高的电源抑制比、体积小、电路设计简单等优点得到大量应用。LDO大部分时间工作在低负载应用，因此，其在低负载情况下的静态电流消耗决定着电池的寿命。当今的LDO发展趋势是低电压、低静态电流来延长电池使用寿命。然而，低静态电流会导致不稳定性，带来大的输出电压暂态变化，必须在静态电流和输出暂态特性进行合理的折中。相比于传统LDO采用分立结构的带隙基准电压源和误差放大器，本文给出一种创新结构的LDO，将带隙基准电压源和误差放大器两个模块合二为一，因此更容易实现低静态电流消耗，低暂态电压变化。

　　1 LDO电路分析

　　图1给出精简结构的LDO，仅仅包括4条主要的电流支路，分别是：增益级、缓冲级和2个PTAT电流源。

　　相比传统结构LDO，精简结构将带隙基准电压源和误差放大器合二为一，因此在其他性能不变情况下，可将电路静态电流消耗减小到原来1 2 左右。

　　这个电路存在两个缺点：输出电压为带隙基准电压不可调；需要使用NPN晶体管，而标准CMOS工艺中并不存在NPN晶体管。由于如今的SoC趋向工作在低电压环境，因此这种结构能够有充足的应用场合。第二个问题在单片设计时候，采用双阱CMOS工艺，只需增加一道掩膜工艺，费用增加不多，因此两个问题实际应用并不明显。 大功率电感厂家 |大电流电感工厂