在准谐振模式下，为了在尽可能大的范围内实现零电压导通，次级到初级的折射电压V总是希望取得大一些，因此通常会选用800V的MOSFET。
为了实现ZVS准谐振，反射电压必须大于输入电压
输入电压最大为：AC265V——>DC375V，所以反射电压大于375V，Vce=750V，选用800V的MOS。
没有要求反射电压Vor一定要大于输入电压吧，只是尽可能大就好了输入电压大，副边反馈回来的反射电压也大，所以MOS管的电压应力取值就会大了
受教了
考虑的因素有几个方面，漏感产生的尖峰电压，输入的最大电压，同时还要留有一定的裕量。最终，还是要看所使用的场合。营长说的很对
，飘过...
在准谐振模式工作下，最好磁芯与MOS都比PWM模式大一个规格，如原来用600V的MOS,现在用750V或者更高的。
这样对设计和电源的稳定性是有利的。
裕量对于设计可靠性很重要 大功率电感厂家 |大电流电感工厂